【信報財經新聞】據《首爾經濟日報》報道，三星電子將採用台積電的3納米工藝，為輝達(Nvidia)下一代定制高帶寬內存(HBM)晶片生產基底裸片(Base Die)，此舉將標誌着三星首次在HBM製造階段與台積電展開合作。
該報引述業界消息人士稱，輝達已要求三星、SK海力士和美光科技採用台積電的工藝製造NVHBM基底裸片，並採用第六代DRAM技術製造核心裸片。據該公司稱，今年8月發布的NVHBM將輝達的定制內存控制器集成到基底裸片中，旨在統一多家內存供應商的實施方式。
報道指出，三星在經過內部評估後接受了輝達的要求，但計劃繼續採用自主生產模式來生產標準HBM以及面向其他客戶的定制產品。消息人士稱，三星正在評估，如果需求超過台積電的產能，是否可由自身晶圓代工業務生產NVHBM基底裸片。
